HMS-3000是全世界最暢銷的一款霍爾效應測試儀型號！

霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體材料電學特性必備的工具。

霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體材料電學特性必備的工具。

霍爾效應測試儀主要用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數、導電類型等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試儀是理解和研究半導體材料電學特性必備的工具。

EPS-300是韓國Ecopia公司最暢銷的一款手動探針臺。EPS-300尺寸緊湊，高性價比，適合放置在手套箱、屏蔽箱內使用，適合與太陽光模擬器或其他儀器聯用。

EPS-1000是韓國Ecopia高端的手動探針臺，有鎖針設計防止回針，臺面快速升降方便晶圓測試，適合科研及微電子器件的失效分析。

ETCP-2000變溫真空探針臺，溫控范圍：80K~573K，最大樣品尺寸：4英寸，高性價比。

MPS微探針臺(Micro Probe Station)尺寸小、重量輕，具備變溫測試及真空測試功能，適用于科研工作，也適用于與其他儀器聯用，是一款非常有特點的微探針系統。

美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統，包括：傳統的熱原子層沉積系統(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(Power-ALD)。

電子束蒸發系統是化合物半導體器件制作中的一種重要工藝技術。它是在高真空狀態下由電子束加熱坩堝中的金屬，使其熔融后蒸發到所需基片上形成金屬膜?？烧舭l很多難熔金屬或者蒸汽壓低的金屬材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…VS5電子束蒸發鍍膜機是英國牛津真空公司生產，臺式設計、軟件自動操控、高性價比，非常適合實驗室科研使用。

VS5電阻式熱蒸發鍍膜機是英國牛津真空公司生產，臺式設計、軟件自動操控、高性價比，非常適合實驗室科研使用。 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為熱蒸發鍍膜，熱蒸發鍍膜技術是歷史最悠久的PVD鍍膜技術之一。熱蒸發鍍膜機一般主要用于蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。以下為蒸發鍍膜設備的示意圖。

光刻機又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統，紫外曝光機等。ECOPIA為全球領先的半導體設備供應商，多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發與生產，并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域；該公司是目前世界上最早將光刻機商品化的公司之一，擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力；并且其設備被眾多著名企業、研發中心、研究所和高校所采用；以優秀的技術、精湛的工藝和良好的服務，贏得了用戶的青睞。

德國尤尼坦RV系列金剛石手動劃片機(Diamond Scriber)，適用于陶瓷、玻璃、半導體晶圓等多種材料劃片。主要型號包括：精確手動晶圓劃片機RV-129，低成本手動劃片機RV-126等。

Wire Bonding是微電子及半導體器件的常用工藝，WB-200半自動焊線機可進行球焊、鍥焊、跳焊(Pump)等焊線工藝。

德國尤尼坦真空共晶爐、燒結爐，緊湊臺式設計，可在氮氣/甲酸等氛圍操作，廣泛用于激光、射頻電路、功率器件等微電子光電子行業的晶粒貼裝，以及金-硅合金，密集焊接和回流共晶。

薄膜表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉，干涉的發生與膜厚及折光系數等有關，因此可通過計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無損、精確且快速的光學薄膜厚度測量技術，我們的薄膜測量系統采用光干涉原理測量薄膜厚度。 該產品是一款價格適中、功能強大的膜厚測量儀器。近幾年，每年的全球銷售量都超過200臺。根據型號不同，測量范圍可以從10nm到250um，它最高可以同時測量4個膜層中的3個膜層厚度（其中一層為基底材料）。該產品可應用于在線膜厚測量，測氧化物、SiNx、感光保護膜和半導體膜，也可以用來測量鍍在鋼、鋁、銅、陶瓷和塑料等上的粗糙膜層。

開爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用于測量導體材料的功函數(Work Function)或半導體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數通常由最上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種最靈敏的表面分析技術。主要型號：KP020 (單點開爾文探針)，SKP5050(掃描開爾文探針)。

德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。 電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發，其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。