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    光刻機/紫外曝光機 (Mask Aligner)
    光刻機又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統,紫外曝光機等。ECOPIA為全球領先的半導體設備供應商,多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發與生產,并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域;該公司是目前世界上最早將光刻機商品化的公司之一,擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力;并且其設備被眾多著名企業、研發中心、研究所和高校所采用;以優秀的技術、精湛的工藝和良好的服務,贏得了用戶的青睞。
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    光學薄膜測厚儀
    薄膜表面或界面的反射光會與從基底的反射光相干涉,干涉的發生與膜厚及折光系數等有關,因此可通過計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無損、精確且快速的光學薄膜厚度測量技術,我們的薄膜測量系統采用光干涉原理測量薄膜厚度。 該產品是一款價格適中、功能強大的膜厚測量儀器。近幾年,每年的全球銷售量都超過200臺。根據型號不同,測量范圍可以從10nm到250um,它最高可以同時測量4個膜層中的3個膜層厚度(其中一層為基底材料)。該產品可應用于在線膜厚測量,測氧化物、SiNx、感光保護膜和半導體膜,也可以用來測量鍍在鋼、鋁、銅、陶瓷和塑料等上的粗糙膜層。
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    掃描開爾文探針
    開爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無損震蕩電容裝置,用于測量導體材料的功函數(Work Function)或半導體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數通常由最上層的1-3層原子或分子決定,所以開爾文探針是一種最靈敏的表面分析技術。主要型號:KP020 (單點開爾文探針),SKP5050(掃描開爾文探針)。
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    WEP CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀
    德國WEP公司的CVP21電化學C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料(結構,層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。 電化學ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開發,其原理是使用電化學電容-電壓法來測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發展半導體光-電化學濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學C-V剖面濃度測量儀適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上,例如:硅、鍺、III-V族化合物半導體(如GaN)。
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    金剛石劃片機 (Diamond Scriber)
    德國尤尼坦RV系列金剛石手動劃片機(Diamond Scriber),適用于陶瓷、玻璃、半導體晶圓等多種材料劃片。主要型號包括:精確手動晶圓劃片機RV-129,低成本手動劃片機RV-126等。
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    半自動球焊機/鍥焊機 (Wire Bonder)
    Wire Bonding是微電子及半導體器件的常用工藝,WB-200半自動焊線機可進行球焊、鍥焊、跳焊(Pump)等焊線工藝。
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    真空共晶爐
    德國尤尼坦真空共晶爐、燒結爐,緊湊臺式設計,可在氮氣/甲酸等氛圍操作,廣泛用于激光、射頻電路、功率器件等微電子光電子行業的晶粒貼裝,以及金-硅合金,密集焊接和回流共晶。
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    回流焊爐
    德國尤尼坦回流焊爐主要用于研究開發和小規模生產
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    RTP-1200快速退火爐
    韓國Ecopia公司生產,最大樣品尺寸:15mm X 20mm。RTP-1200特點:使用單相電,普通照明電即可使用;風冷設計、無須采購冷水機;真空退火,可以使用氫氮混合氣(<10%比例氫氣)。
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    RTP-100快速退火爐
    德國優尼坦公司生產,最大樣品尺寸:4英寸晶圓或者100mm x 100mm尺寸樣品,RTP-100支持惰性氣體保護、低真空或高真空快速熱處理。
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    RTP-150快速退火爐
    德國優尼坦公司生產,最大樣品尺寸:6英寸晶圓或者156mm x 156mm尺寸樣品,RTP-150可以支持惰性氣體保護、低真空或高真空快速熱處理。
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    VPO-300快速退火爐
    德國優尼坦公司生產,最大樣品尺寸:12英寸晶圓或300mm x 300mm尺寸樣品,VPO-300支持惰性氣體保護、低真空、或高真空快速熱處理。
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